功能描述：PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：70A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：34.4nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2490pF @ 12V

FET 功能：肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值）：74W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.27 毫欧 @ 25A， 10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK33

封装/外壳：SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）

标准包装：1

PSMN2R0-30BL

PSMN2R0-30BL,118

PSMN2R0-30PL

PSMN2R0-30PL,127

PSMN2R0-30YL

PSMN2R0-30YL,115

PSMN2R0-30YLD

PSMN2R0-30YLD,115

PSMN2R0-30YLDX

PSMN2R0-30YLE